SDRAM Self-Refresh

Chip 的DRAM Controller提供兩種refresh mode : Auto Refresh 和 Self Refresh。
(? 依據DRAM的說法，self-refresh功能是由DRAM自己提供，而不是DRAM Controller)。
另外，還有一項跟DRAM的特性有關的是Refresh Period。

Self-Refresh 通常用在power-saving 模式，或是sleep mode。可以少耗電。
refresh period 越短，耗電量越大，為求省點，通常都盡可能的將refresh period加長。
但是period 太長是有危險的，一旦不足以保持DRAM的內容，就會造成data lost。

所以適當設計refresh period，是一個power and performance 的trade-off。

另外一個需要考慮的因素是溫度，當溫度高時，電晶體介面電阻變小，data cell的discharge current變大，所以DRAM中data lost速度變快，refresh period需要短一些。

這樣為了保持高溫時的正常，資採用short period，導致sleep時耗電量增加，很不划算。

所以出現了一種 : "依照環境溫度變更refresh-period"的DRAM設計：
http://www.elpida.com/pdfs/E0599E20.pdf#search=%22self-refresh%20period%20temperature%20%22

是 ELPIDA 的 "Mobile DRAM" 系列。

從文件的資料中可以看到，85'C時，因為refresh period變短，導致耗電量是 45'C時的一倍。

? 大部分SDRAM的max refresh period 竟然是 65 ms (不是us!!)