星期五, 9月 08, 2006

SDRAM Self-Refresh

Chip 的DRAM Controller提供兩種refresh mode : Auto Refresh 和 Self Refresh。
(? 依據DRAM的說法,self-refresh功能是由DRAM自己提供,而不是DRAM Controller)。
另外,還有一項跟DRAM的特性有關的是Refresh Period。

Self-Refresh 通常用在power-saving 模式,或是sleep mode。可以少耗電。
refresh period 越短,耗電量越大,為求省點,通常都盡可能的將refresh period加長。
但是period 太長是有危險的,一旦不足以保持DRAM的內容,就會造成data lost。

所以適當設計refresh period,是一個power and performance 的trade-off。

另外一個需要考慮的因素是溫度,當溫度高時,電晶體介面電阻變小,data cell的discharge current變大,所以DRAM中data lost速度變快,refresh period需要短一些。

這樣為了保持高溫時的正常,資採用short period,導致sleep時耗電量增加,很不划算。

所以出現了一種 : "依照環境溫度變更refresh-period"的DRAM設計:
http://www.elpida.com/pdfs/E0599E20.pdf#search=%22self-refresh%20period%20temperature%20%22

是 ELPIDA 的 "Mobile DRAM" 系列。

從文件的資料中可以看到,85'C時,因為refresh period變短,導致耗電量是 45'C時的一倍。

? 大部分SDRAM的max refresh period 竟然是 65 ms (不是us!!)

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